如何為CVD設備選型
前記：化學氣相沉積（CVD）是半導體工業(yè)中應用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術，理論上即：兩種或兩種以上的氣態(tài)原材料導入到一個反應室內，然后他們相互之間發(fā)生化學反應，形成一種新的材料，沉積到晶片表面上。所以普通CVD實驗設備則由三套及以上的設備組合而成即：高溫爐（提供實驗溫度）+供氣系統(tǒng)（提供多種氣體混合）+真空系統(tǒng)（提供實驗環(huán)境）。化學氣相沉積（CVD）設備的靈活度很高，客戶可根據(jù)自己實驗要求選擇合適的產品來組合，或者直接選擇套裝（請點擊這里）。
建議：如果您是在分開購買CVD設備時最好跟科晶人員溝通是否需要一些必須的配件，以防分體購買CVD中的設備造成配件不全不能立即實驗的問題。
一．高溫爐選擇（CVD系統(tǒng)中一般是管式爐）：高溫爐為CVD實驗提供材料沉積所需要的溫度
1、如何選擇管式爐：
二、供氣系統(tǒng)選擇：供氣系統(tǒng)即混氣裝置，它可以實現(xiàn)2種或者2種以上的氣體或者蒸汽按照一定的比例來混合，然后通入高溫爐中
本公司根據(jù)流量計的不同分為2類:
1.氣體流量計：
浮子流量計：氣體通過普通的浮子流量計粗略的估計進氣量。如GSL-2F、GSL-3F
質量流量計：氣體通過D07質量流量計精確控制進氣量。如GSL-2Z、GSL-3Z、GSL-4Z等
2、氣液混合流量計：
用于液體高溫氣化后導入CVD系統(tǒng)的設備，有建議版和精確控制版本兩種可選
三、真空系統(tǒng)選擇：真空系統(tǒng)為CVD實驗提供實驗的真空環(huán)境，將管式爐中的空氣抽走，達到真空的環(huán)境。客戶根據(jù)自己實驗所需真空度大小及實驗所需清潔程度來選擇合適的真空裝置。
本公司根據(jù)真空泵的不同分為2類：
1、低真空系統(tǒng)GZK-101。采用4L/S的雙級真空泵，標配電阻規(guī)真空計
2、高真空系統(tǒng)GZK-103。采用進口分子泵，自帶真空計。GZK-103G。采用國產分子泵，自帶真空計
另，若經費有限，客戶也可以只購買單獨的真空泵、真空計和真空泵連接配件來實現(xiàn)抽真空的步驟
Copyright © 2019 合肥科晶材料技術有限公司 版權所有 皖ICP備09007391號-1 
皖公網安備 34012302000974號
查看誠信檔案
