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InP晶體基片
- 產品概述：
- InP非常適用于高頻器件，如高電子遷移率晶體管和異質結雙極晶體管（HBT）等方面。InP基器件在毫米波、通訊、防撞系統、圖像傳感器等領域有廣泛應用
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技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 產品名稱
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磷化銦(InP)晶體基片 |
| 技術參數
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晶體結構： | 立方晶系 | 晶格常數： | a =5.4505 ? | 摻雜： | None；Sn；S；Fe：Zn | 密度： | 4.81g/cm3 | 硬度： | 3 Mohs | 導電類型： | N；N；N；Si；P | 折射率： | 3.45 | 載流子濃度： | 1-2x1016 1-3x1018
1-4x1018 .6-4x1018 | 位錯密度： | <5x104 cm-2 | 生長方法： | LEC | 熔點： | 1062℃ | 彈性模量： | 7.1E11dyn cm-2 |
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| 產品規格
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常規晶向： | | 常規尺寸： | 2"x0.5mm 10x10x0.5mm | 拋光情況： | 單拋 | 表面粗糙度： | <15A | 注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。 |
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| 晶體缺陷
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人工金屬單晶存在常見晶體缺陷，表面可能會有小黑點，微小氣泡等 |
| 標準包裝
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1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝 |
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