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BN晶體
- 產品概述：
- 六方氮化硼(h-BN)是理想的二維材料。h-BN在1566 cm-1處呈強拉曼峰，FWHM小于5cm-1。它顯示5.9 eV帶隙，被認為是寬帶帶隙絕緣體。應用于半導體電子器件、光學器件，和絕緣導熱襯底的研究。
免責聲明：
本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網站不可預知的BUG可能會造成數據與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數，請與本公司銷售人員聯系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產品的電子版技術文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產品僅針對大陸地區客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 產品簡介
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氮化硼（BN）晶體
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| 技術參數
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晶體結構： | 六方晶系 | 純度： | >99.999％ | 顏色： | 白色或透明 | 電導： | 絕緣體 | 禁帶寬度： | ≈5.9eV | 生長方法： | CVD法人工合成 |
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| 產品規格
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注意事項 | 不要接觸水和空氣不要長時間的暴露在空氣中，盡量戴手套在手套箱里操作 | 常規尺寸 | 每片都是0.6-1mm不規則片。一盒約20粒左右 |
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| 標準包裝
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100級超凈袋、盒子真空包裝。
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