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CdS晶體
- 產品概述：
- II - VI族晶體有可能在不久的將來用于突出拍攝上。他們的直接帶隙的性質和大范圍的透明度以及一個帶隙,為有趣的設備提供了廣泛選擇的可能性。
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本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網站不可預知的BUG可能會造成數據與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數，請與本公司銷售人員聯系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產品的電子版技術文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產品僅針對大陸地區客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 產品名稱
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硫化鎘(CdS)晶體基片
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| 技術參數
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晶體結構： | 六方晶系 | 晶格常數： | a=4.1367 c=6.7161 | 密度： | 4.821g/cm3 | 熔點： | 1287oC | 折射率： | no=1.708 ne=1.723 | 導熱系數： | 2.7W /m.k @ 300K | 透過波長： | 2.5 ~ 15 (>71%)um | | 介電常數 | 8.9 |
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| 產品規格
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常規晶向： | (0001) | 晶向公差： | ±1° | 常規尺寸： | 10x10x0.5mm、10x5x0.5mm、5x5x0.5mm | 拋光情況： | 單拋、雙拋 | 拋光面粗糙度： | 15A |
注：可按客戶要求定制特殊的方向和尺寸。
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| 晶體缺陷
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人工生長單晶都可能存在晶體內部缺陷。
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| 標準包裝
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1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝
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