- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
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- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
Ga摻ZnO
- 產(chǎn)品概述：
- 新一代寬禁帶，直接帶隙的多功能 II-V 族半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)秀的光電、壓電、氣敏、壓敏等特性
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱
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Ga摻ZnO |
| 技術(shù)參數(shù)
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晶體結(jié)構(gòu)： | 六方晶系 | 晶格常數(shù)： | a= 3.252 ? , c = 5.313 ? | 熔點(diǎn)： | 1975℃ | 硬度： | 4 Mohs | 密度： | ~5.7 g/cm3 | 帶隙： | 3.37eV | | 介電常數(shù) | 8.5 | 比熱容： | 0.125 cal/gm | 導(dǎo)電性： | N type | 導(dǎo)熱系數(shù)： | 0.006 cal/cm/ oK | 熱膨脹系數(shù)： | 2.90 x 10-6/oK | 位錯(cuò)密度： | < 4 x 104 /cm2 | | 電子濃度： | ~1018 ~1019cm-3 | | 電阻率: | ~10-3 Ohm*cm | | 電子遷移率: | ~80 cm2V-1s-1 | | 透射譜： |  |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向： | (0001) | 尺寸： | 10mm×10mm,15mm×15mm | | 厚度： | 1.0 mm，0.5 mm | 表面粗糙度： | <5A | 注：尺寸可按照客戶要求定做。 |
|
| 晶體缺陷
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人工生長(zhǎng)單晶有可能存在晶體內(nèi)部缺陷。 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋真空包裝 |
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