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二維材料MoSe2
產品概述:
應用于半導體電子器件、光學器件等研究。
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產品名稱

MoSe2 二硒化鉬

技術參數

類型:

CVT法人工合成

純度:

>99.99%

外觀:

銀灰色

電導:

半導體

帶隙:

 單層MoSe2直接帶隙 1.55 eV

晶體結構:六方晶系
晶體常數:a=b=3.29,  c=12.89  ,α=β=90° ,γ=120°
生長方法:化學氣相傳輸

常規尺寸:

~ 3x3x0.1 mm 面積≥10平方毫米


標準包裝

1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝

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