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Si-Ge晶體
- 產品概述：
- 隨著微電子、光電器件以及放射性同位素熱電發電機的不斷發展，人們重新對SiGe單晶材料產生了濃厚的興趣。當SiGe外延層超過臨界厚度時，采用高質量的SiGe單晶替代Ｓｉ單晶作為外延襯底材料，可以減少Ｓｉ襯底與Ｓｉ1-ｘGeｘ合金層之間過渡層的數目，避免或減少失配位錯，改善量子阱器件的性能。
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本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網站不可預知的BUG可能會造成數據與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數，請與本公司銷售人員聯系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產品的電子版技術文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產品僅針對大陸地區客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 產品名稱
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Si-Ge 晶體基片
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| 技術參數
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晶體結構： | 立方晶系 | 晶格常數： | a=0.5431+0.02x+0.027x2? | 電阻： | 7-8 ohm-cm | 導電類型： | P型不摻雜 | 生長方法： | 直拉（ＣＺ）法生長 |
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| 產品規格
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常規晶向： | <100> | 常規尺寸： | 常規尺寸：dia4″x0.5mm； | 拋光情況： | 單拋、雙拋 | 拋光面粗糙度： | < 5A |
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| 晶體缺陷
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人工生長單晶都可能存在晶體內部缺陷。
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| 標準包裝
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1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝
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