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技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 技術參數
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Si摻雜類型： | N型不摻雜 | P型摻B | 電阻率： | >2000ohm.cm | 1-20 ohm.cm | 薄膜厚度： | SiO2=300nm TiO2=20nmPt(111)=150nm |
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| Maximum?Thermal Budget?of?Pt? film:
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<800-850 degreeC/1hr
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| 常規尺寸
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dia4"+/- 0.5 mmx0.525 單拋；10x10mm 注：可按照客戶要求加工尺寸 |
| 標準包裝
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1000級超凈室100級超凈袋真空包裝或單片盒裝 |
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