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A-Z晶體及材料加熱爐系列樣品處理設(shè)備電池制備設(shè)備分析檢測設(shè)備其他實(shí)驗(yàn)室設(shè)備技術(shù)支持/服務(wù)培訓(xùn)

加熱爐設(shè)備
晶體及材料
破碎/球磨設(shè)備
壓片設(shè)備
輥壓設(shè)備
切割設(shè)備
磨拋設(shè)備
清洗設(shè)備
電池研發(fā)設(shè)備
薄膜制備
配件
其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備

熱處理設(shè)備: 管式爐箱式爐箱管混合

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加熱方式: 電阻加熱紅外燈管加熱感應(yīng)加熱微波加熱

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加熱形式: 常規(guī)爐立式箱管混合式回轉(zhuǎn)爐

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加熱溫度: 300-1200 1250-1500 1600-2000

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加熱溫區(qū): 單溫區(qū) 雙溫區(qū) 三溫區(qū) 多溫區(qū) 感應(yīng)加熱專用

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管徑: ф?25 ф?50 ф?60 ф?80 ф?100 ф?120及以上

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三溫區(qū)頂部籽晶助溶劑法（TSSG）單晶生長爐

關(guān)鍵字：: 最高溫度1200℃
型號：: VTF-1200X-III-TSSG
產(chǎn)品概述：: VTF-1200X-III-TSSG是一款3溫區(qū)頂部籽晶助熔劑法（TSSG）晶體生長爐。此設(shè)備主要由3部分組成：3溫區(qū)加熱爐（爐膛尺寸為：Φ127mm×600mm,最高溫度為1200℃），溫控系統(tǒng)可設(shè)置28段溫度程序段，控溫精度±1℃和精密旋轉(zhuǎn)提拉機(jī)構(gòu)，其提拉速度為0.8-50mm/hour.

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爐體	3溫區(qū)加熱： 150mm+300mm+150mm，三個溫區(qū)由獨(dú)立的溫控系統(tǒng)控制，可創(chuàng)造出較大的溫度梯度最高工作溫度： 1200℃（小于1小時）連續(xù)工作溫度: 1100oC 功率: 208V- 240V AC, 50/60Hz, 單相最大功率： 5KW
控制面板	· PLC觸摸屏控制面板，可設(shè)置和控制提拉行程，提拉速度和旋轉(zhuǎn)速度等 · 溫控系統(tǒng)：可設(shè)置28段溫度段，采用PID方式調(diào)節(jié)溫度，其控溫精度為±0.1℃ · 升溫速率： 0~10oC / min · 提拉速度: 0.8-50mm/h （可調(diào)） · 下降速度: 40 mm/minute · 籽晶桿轉(zhuǎn)速: 0.1-23 RPM（可調(diào)）
最大提拉行程	300mm
加熱腔體	· 腔體直徑為Φ135mm(設(shè)計為開啟式），最大可直徑為Φ80mm的坩堝 · 加熱區(qū)長度600mm 可選購真空密封件：直徑為Φ127mm的石英管和密封法蘭
設(shè)備尺寸
質(zhì)保	一年質(zhì)保期，終身維護(hù)（不包含爐管，密封圈和加熱元件等耗材）

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