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LaSrAlO4晶體基片
- 產品概述：
- 鋁酸鍶鑭晶體從熔點溫度直至低溫下均無孿晶及相變，與高溫超導體YBCO具有相同的結構，<001>面與其它襯底相比與YBCO<001>具有適中的晶格失配（2.5~3.5%），同時該晶體的熱膨脹系數(shù)比其它鈣鈦礦結構的晶體低，可以在較低的溫度下沉積薄膜從而改善晶格失配及減少應力。
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本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網(wǎng)站不可預知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
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技術參數(shù)產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 產品名稱
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LaSrAlO4晶體基片 |
| 技術參數(shù)
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晶體結構： | 四方晶系 | 晶格常數(shù)： | a=3.756? c=12.636? | 密度： | 5.92g/cm3 | 熔點： | 1650°C | 介電常數(shù)： | 16.8 | 生長方法： | 提拉法 |
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| 產品規(guī)格
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常規(guī)晶向： | （011）、（100）、（110） | 晶向公差： | ±0.5°內 | 常規(guī)尺寸： | 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm，5x5x0.5mm | 解離情況： | 沿著（001）面易解離 | 拋光面粗糙度： | Ra<5A | 注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。 |
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| 晶體缺陷
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人工生長單晶有可能存在晶體內部缺陷。 |
| 標準包裝
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1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝 |
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