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1700℃小型精確控溫 蒸發鍍膜儀
關鍵字:
CSS、CVD
型號:
GSL-1700X-SPC-2
產品概述:
GSL-1700X-SPC-2是一款小型臺式程序控溫蒸發鍍膜儀,可以設定程序,精確控制溫度200oC~1500oC(或者1200oC~1700oC),樣品臺可旋轉以獲得更均勻的薄膜,可制備各種金屬薄膜和有機物薄膜。
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技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
設備名稱

1700℃小型精確控溫蒸發鍍膜儀--GSL-1700X-SPC-2 (2019.11.25—科晶實驗室審核)

相關視頻

  

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拆卸裝置視頻


產品提示

1.科晶實驗室邀請提示  2.圖片未及時更新提示  3.多種配件可選提示 

主要特點

·直徑6英寸的石英腔體,便于清潔和放入樣品。

·安裝有一個2英寸的樣品臺,并且樣品臺可以旋轉,使所制薄膜更加均勻。

·樣品臺和蒸發源之間的距離可以調節

·氣體流量端口和閥門內置可用于腔室凈化和CVD實驗。

·采用鎢絲加熱


樣品臺旋轉.gif  距離可調.gif  樣品放置.gif  工作狀態.gif  


基本參數

·控溫方式:手動控溫/程序控溫

·控溫精度:+/-1℃

·腔體真空度:5*10^-3Pa(表壓只能顯示到 1*10^-1Pa)   

·樣品室:石英腔體:167mm OD. x 152mm ID x 260mm H

·基片:可裝載基片最大尺寸為 50mm

·輸出電壓:DC 18V             

·最大輸出電流:≤30A 正常蒸發電流:≤25A

·輸入電源:AC 220V 50HZ/60HZ

·輸入功率:1.76KW(不含真空系統)

·最高使用溫度:1500


更多參數請聯系科晶銷售部

溫控及加熱源

·采用鎢絲籃作為發熱源,并且配有專用的氧化鋁坩堝,熱電偶安裝在坩堝底部,以便于溫度測量和控制。(圖1)

·采用S型熱電偶(工作溫度為200℃-1500℃)(圖2)

·可選B型熱電偶(工作溫度為1200℃-1700℃)

·安裝有一個數顯的溫度控制器:可設置30段升降溫程序,控溫精度為+/- 1oC(圖3)

·溫度控制器的時間設置以秒為單位,建議將升溫/降溫速率限制在1200oC以下0.3oC/s(20oC/ min),在1200 - 1500oC限制到0.15oC/s(10oC/min)

·儀器中配有鎢絲籃及氧化鋁坩堝(圖4、圖5)


技術參數-2.jpg  技術參數-3.jpg  技術參數-4.JPG  技術參數-5.jpg  技術參數-6.jpg

        圖1                 圖2                     圖3                    圖4                  圖5

進氣口

·進氣接口為1/4NPS,可向真空腔體中通入惰性氣體,對腔體進行清洗,也可通入反應氣體,進行反應蒸發鍍膜

·進氣口安裝有一針閥,用于調節進氣流量


皮拉尼真空計

· 安裝位置:室內或空曠的露天樓宇及工作室;

· 溫度:5-60℃;

· 濕度:30℃環境下≤80%  40℃環境下≤50%無冷凝氣體;

· 環境大氣壓:860-1060mbar。

   image.png

真空泵(選配)

· 型號:VRD-8

· 電源  AC 220V 50/60 Hz

· 功率:400W

· 進排氣連接口:KF25

· 抽氣速率:8 m3/h

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尺寸

540*400*710mm(長*寬*高)


image.png   技術參數-8.jpg   2.jpg

重量

40 kg

認證

·此產品已通過CE認證

  證書編號:M.2021.206.C67994

·若客戶出認證費用,本公司保證單臺設備通過德國TUV認證或CAS認證

技術參數-9.png

質保

一年質保期,終生維護

特別提示:1.耗材部分如加熱元件,石英管,樣品坩堝等不包含在內。

         2.因使用腐蝕性氣體和酸性氣體造成的損害不在保修范圍內。

使用GSL-1700X-SPC-2設備在Si片上蒸鍍Cu,探索設備蒸鍍膜厚最大及最小值。

實驗過程:

圖片1.jpgIMG_20200706_131016.jpg

1設備                      圖2蒸發料

原料:銅段(蒸發料,銅導線內芯),Si基底(酒精超聲清洗30min,后使用去離子水超聲清洗30min,真空烘箱70℃烘干)。使用分子泵抽真空,待真空度到達100時,利用氮氣對腔室進行洗氣三至四次。洗氣結束,待分子泵抽真空至10-4Torr,開始給爐子加熱,升溫曲線0.6℃/s,升溫至相應溫度,玻璃罩出現金屬色后打開擋板蒸鍍。

實驗結果如下

目的

組別

蒸鍍條件

(溫度、時間)

鍍膜前

鍍膜后

膜厚

最薄

1

125010s

IMG_20200703_154312.jpg

圖片4.jpg

IMG_20200707_112157.jpg

2

120010s

圖片5.jpg

IMG_20200707_101952.jpg

IMG_20200707_131347.jpg

3

12003s

IMG_20200707_103330.jpg

IMG_20200707_155256.jpg

IMG_20200707_160914.jpg

最厚

4

120060min

IMG_20200708_082434.jpg

IMG_20200708_134035.jpg

圖片2.jpg

5

120030min

IMG_20200708_144242.jpg

IMG_20200709_155948.jpg

圖片3.jpg

結論

1GSL-1700X-SPC-2設備在Si基底上鍍Cu,最薄(膜厚儀可檢測)可蒸鍍至14.8nm

2GSL-1700X-SPC-2設備在Si基底上鍍Cu,最厚(起皮前)可蒸鍍至37.72μm

特別聲明:

1. 以上所有實驗僅為初步探究,僅供參考。由于我們水平有限,錯誤疏漏之處歡迎指出,我們非常期待您的建議。

2. 歡迎您提出其他實驗思路,我們來驗證。

3. 以上實驗案例及數據只針對科晶設備,不具有普遍性。

4. 因為涉及保密問題,以上數據僅為部分數據,歡迎老師與我們聯系,我們非常期待和您共同探討設備的應用技術。


應用提示

·使用前要檢查密封圈和法蘭上是否有異物或劃痕,并用酒精擦洗。

·抽真空時,用外部加熱裝置將腔體烘烤到200℃,氧化鋁坩堝預加熱到500℃,保持2小時。

·如誤將控溫儀表設為手動狀態,程序將不能正常運行。

·如果用戶選配了STC-2型薄膜測厚儀,在選用取樣片時請按:鍍純金屬時用金取樣片,鍍合金時用銀取樣片。

·鎢絲藍必須在真空狀態下(<5Pa)才能通電加熱,否則會被氧化。

·蒸鍍儀標配熱電偶型號為“S”型熱電偶,如需加熱到 1500℃以上,則需更換“B”型熱電偶。

·當所需要蒸鍍的物料會與氧化鋁坩堝產生反應,則需將氧化鋁坩堝換成氧化鋁通孔坩堝。然后在通孔坩堝上再放上一個不銹鋼異形坩堝(注意:加熱不銹鋼坩堝時,溫度不能超過1100℃)。用戶可額外選購鎢絲籃及氧化鋁坩堝。(圖1、2)

應用警示-1.jpg    應用警示-2.png

 圖1                    圖2

警示

·蒸鍍儀在工作中嚴禁旋開試樣室充氣閥充氣、關閉真空泵。

·蒸鍍電流不宜大于 20A。

·蒸鍍儀一般工作溫度不得超過 1500℃(長時間工作溫度),最高溫度 1600℃ (工作時間不超過 30 分鐘)。

·此設備儀表程序時間為秒,200℃之前升溫速度不宜大于 0.5 度/秒。


相關可選

·可選用真空系統配套使用:分子泵真空度可達 10E-4 torr。(圖1)

·如果使用腐蝕性氣體,請使用冷阱或防腐干泵。(圖2)

·可選購一數顯防腐真空計,測量范圍為:3.8x10^-5-1125Torr。(圖3)

·可在本公司選購精密的石英振動薄膜測厚儀安裝在濺射儀上,可實時監測薄膜的厚度,分辨率為0.10 ?。(圖4、5)同時可選購反射光譜薄膜測厚儀--TFMS-LD(圖6)

·此款蒸鍍儀可以放入到手套箱里操作,用于蒸鍍一些在常溫下對氧氣敏感的材料,比如金屬Li等,可在本公司選購開啟式手套箱VGB-6。(圖7)


配件詳情-1.jpg 配件詳情-2.jpg 配件詳情-3.jpg  配件詳情-4.png

   圖1                圖2                  圖3                 圖4


配件詳情-5.png    配件詳情-6.png   配件詳情-7.jpg

   圖5                  圖6                  圖7


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公司環境

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合肥科晶品牌紀錄片                                     公司環境

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