設備名稱 | 1100℃PE/HPCVD旋轉管式爐(配原位蒸發器,4通道MFC和真空泵)—OTF-1200X-S-II-4CV-PE (2019.12.23—科晶實驗室審核) |
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產品提示 | |||||||||
產品特點 | ? 爐體可在0 ~ 30°內傾斜有利于粉末樣品的裝入和取出; ? 射頻電源可實現等離子增強從而顯著降低實驗溫度; ? 齒輪驅動管式爐旋轉可有效地提高復合粉末熱處理的均勻性; ? 4通道質子流量計控制系統可以對氣體的輸送進行精確的調控; ? 集成在前端的帶鎢絲加熱的坩堝舟可以對前驅體進行蒸發用于后續的混合物理化學氣相沉積階段。 |
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相關視頻 | 操作視頻 |
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加熱爐參數 | ? 最高溫度:1100oC(<30min);連續工作溫度:< 1000℃; ? 兩個PID溫度控制器以及50段可編程溫控系統,控溫精度:±1℃; ? 輸入功率:110V,單相,功率:1.5KW; ? 回轉爐旋轉速度:0-5 rpm; ? 爐體開啟式設計,以達到對樣品快速降溫,方便更換爐管。 更多參數請聯系科晶銷售部 |
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蒸發舟參數 | ? 0.7mL氧化鋁坩堝(由鎢絲加熱圈包圍); ? S型熱電偶插入坩堝中實現對蒸發物料的精確測溫; ? 最高溫度可達1100℃,長期使用溫度1000℃。 |
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射頻電源 | ? 科晶公司現有不同功率的射頻電源可供選擇,以滿足不同實驗條件的需求。 |
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真空系統 | ? 采用TRP-12的雙旋真空泵; ? KF25卡箍及波紋管用于連接管式爐與真空泵; ? 真空度可達10-2Torr。 |
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供氣系統 | ? 四通道質子流量計控制系統可實現氣體流量的精確控制(精確度:±0.02%); ? 流量范圍:
? 電壓:208-240V, AC, 50/60Hz; ? 氣體進出口配件:6mm OD的聚四氟管或不銹鋼管; ? 不銹鋼針閥用于手動控制氣體進出; ? PLC觸摸屏可以簡便地進行氣體流量設置。 |
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產品尺寸和重量 | ? 爐體尺寸:1400 mm L ′600mmW′1250mm H; ? 混氣系統尺寸:600mmL′850mm W′700mm ? 凈重:90kg ? 運輸重量:136kg |
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認證 | ? 如您另外付費,我們可以保證單臺儀器的TUV(UL61010)或CSA 認證 |
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承諾 | ? 一年質保期,終身維護(不包括爐管、硅膠密封圈和加熱元件) |
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國家專利 | 專利名稱:一種等離子增強旋轉爐裝置 專利號:ZL 2019 2 1533393.7 尊重原創、鄙視抄襲、侵權必究。 |
科晶應用技術實驗室利用PECVD在不同功率(75W、150W、300W)條件下沉積Sb2Se3薄膜,實驗結果如下:
組別 | SEM結果 | 元素百分比 | ||
Sb (%) | Se(%) | |||
未經任何處理的樣品 | 40.01 | 59.99 | ||
等離子體處理 | 41.04 | 58.96 | ||
等離子體處理 min | 41.64 | 58.36 | ||
等離子體處理5 min | 41.86 | 58.14 |
小結:
(1)等離子體能改變Sb2Se3薄膜的形貌,同時改變Sb2Se3的組成;
(2)隨著射頻電源功率的增加,Sb2Se3中的Se百分含量降低。
組別 | SEM結果 | 元素百分比 | ||
Sb (%) | Se(%) | |||
10W、條件下沉積Sb2Se3 | 40.01 | 59.99 | ||
75W、條件下沉積Sb2Se3 | 70.28 | 29.72 | ||
43.13 | 56.87 | |||
75W、且補充2粉末(10%質量比Sb2Se3)沉積Sb2Se3 | Sn: 22.78 Sb: 25.77 | 51.44 |
小結:
(1)低功率等離子體條件下可得到近原子比的Sb2Se3;
(2)高壓條件下可得到富Sb的Sb2Se3薄膜;
(3)添加Se會破壞PECVD沉積的Sb2Se3的原子比;
(4)當SnSe2質量比為10%時,可以得到Sb:Sn摩爾比接近于的薄膜,該方法適用于摻雜。
XRD結果
警示 | ? 爐管內氣壓不可高于0.02 MPa; ? 由于氣瓶內部氣壓較高,所以向爐管內通入氣體時,氣瓶上必須安裝減壓閥,建議在本公司選購減壓閥,本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa,使用時會更加精確安全; ? 石英管的長時間使用溫度<1100℃; ? 當爐體溫度高于1000℃時,爐管內不可處于真空狀態,爐管內的氣壓需和大氣壓相當,保持在常壓狀態; ? 射頻電源工作時,請勿觸碰。 |
應用技術提示 | ? 通入爐內氣體流量需小于200 sccm,以避免冷的大氣流對加熱石英管造成沖擊; ? 加熱時,不建議關閉爐管法蘭端的抽氣閥和進氣閥。若需要關閉氣閥對樣品加熱,則需時刻關注壓力表的示數,若氣壓表示數大于0.02 MPa,需立刻打開泄氣閥,以防意外發生(如爐管破裂、法蘭飛出等); ? 射頻電源在低氣壓、低功率條件下起輝。 |