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鋁酸鎂鈧(ScMgAlO4)
- 型號：
- ScMgAlO4
- 產品概述：
- ScMgAlO4晶體是最近發展起來的一種GaN和ZnO異質外延用理想的襯底材料，是目前與GaN和ZnO晶格失配最小的新型襯底材料。ScMgAlO4晶體屬于六方晶系，晶格常數a=0.3246nm，c=2.5195nm，具有菱形六面體層狀結構，與纖鋅礦氮化物和氧化鋅的結構相似。
ScMgAlO4是一種與GaN和ZnO晶格常數和結構非常匹配的襯底材料(表1)。它與GaN的晶格失配率約為1.8%，與ZnO的晶格失配率僅為0.09%，a軸的熱膨脹系數為6.2x10-6/℃，c軸的熱膨脹系數為12.2x10-6/℃，與GaN、ZnO外延薄膜之間的熱膨脹系數失配比傳統的藍寶石和硅等襯底好的多。
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技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 技術參數
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·晶體結構：六方晶系 ·晶格常數：a=0.3246nm，c=2.5195nm
·生長方法：提拉法
主要襯底材料與GaN及ZnO的晶格失配率：
襯底材料 | ScAIMgO4 （0001） | ZnO (0001) | SiC (0001) | ?-Ga203 (100) | Al203 (0001) | Si (111) | 與GaN失配 | +1.8% | +2.3% | -3.5% | +5% | -13% | +16.9% | 與ZnO失配 | +0.09% | - - | -5.2% | -6.5% | -18.4% | +40.1% |
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| 產品規格：
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·常規晶向： ·常規尺寸：10x10x0.5mm、5x5x0.5mm
·表面粗糙度：<0.5nm
注：尺寸可按照客戶要求定做。
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| 晶體缺陷
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人工生長單晶有可能存在晶體內部缺陷
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| 標準包裝
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1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝
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